[发明专利]一种增强可见光光电响应的锰掺杂二氧化钛薄膜的制备方法无效
申请号: | 201310163375.5 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103280488A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 夏晓红;高云;郭美澜;王卓;邵国胜 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
地址: | 430062 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提出了一种增强可见光光电响应的锰掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,是采用直流、射频反应磁控共溅射的方法,以硅片,或石英片,或FTO,或ITO材料为衬底;以高纯Ti靶作为磁控直流溅射的阴极,以Mn金属靶为反应磁控溅射射频端阴极,衬底作为阳极,O2为反应气体,Ar为溅射气体,通过调节反应温度、直流和射频端功率、氧气流量和反应时间等参数,来控制Ti和Mn的相对含量和薄膜的厚度。本发明制备方法简单,易操作,可控性强,成膜质量高,制得的锰掺杂氧化钛薄膜可实现可见光区的吸收,电学性能得到很大提高,可广泛应用于光催化和光伏能源领域,作为太阳能电池的光吸收层和电子传输层。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 可见光 光电 响应 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种增强可见光光电响应的锰掺杂二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于制备步骤如下: 1)、清洗衬底;将衬底放在丙酮、无水乙醇、去离子水中依次超声15min,并烘干,沉积薄膜前,对衬底进行反溅清洗15min;2)、安装靶材;将纯度为99.999%的Ti靶安装于磁控溅射系统的直流靶位, 纯度为99.999%的Mn靶安装于磁控溅射系统的射频靶位,调节靶与衬底的距离为10~65mm;3)、打开泵抽系统,当系统真空抽至1×10‑5Pa后,将衬底加热至温度200~550℃,向腔室通入20sccm高纯度99.9999%的氩气和8~15sccm高纯度99.9999%的氧气,控制腔室压强为5~10mtorr,对靶材进行辉光清洗;4)、清洗完成后,调节直流Ti靶的功率为300~380W,射频Mn靶的功率为0~105W,持续溅射3~10小时;5)、沉积完成后,随炉冷却,从真空室将样品取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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