[发明专利]一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器无效

专利信息
申请号: 201310164696.7 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN103235630A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 吴建辉;徐川;胡建飞;李红;田茜 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王剑
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出了一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器。所述缓冲器在传统的源极电压跟随器作为输出缓冲器的基础上,采用了新的动态电流控制方法,增加了放电电流控制电路和充电电流控制电路,使得缓冲器可以驱动非常大的负载电容,在较短的时间内即可建立到要求的电压精度;通过流水线ADC中的两相非交叠时钟控制开关阵列,开关阵列控制接入电路中的MOS管,MOS管控制缓冲电路放电电流和充电电流的大小。本发明在驱动负载电容时,大大降低缓冲器消耗的电流,从而降低电路的功耗。
搜索关键词: 一种 应用于 流水线 adc 功耗 基准 电压 缓冲器
【主权项】:
一种应用于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器,其特征在于,所述基准电压缓冲器包括差分电压放大器、源极跟随器、电容放电回路、电容充电回路;所述差分电压放大器部分包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、差分放大器;所述源极跟随器电路部分包括第一NMOS管、第二NMOS管,第三NMOS管、第四NMOS管;所述电容放电回路包括第一负载电容、第二开关、第三NMOS管、放电电流控制电路;所述放电电流控制电路包括第一CMOS开关,第五NMOS管;所述电容充电回路包括第二负载电容、第三开关、第二NMOS管、充电电流控制电路;所述充电电流控制电路包括第二CMOS开关,第一PMOS管;所述基准电压缓冲器还包括第一电压源(VH)、第一开关、第四开关、第二电压源(VL);所述基准电压缓冲器电路连接如下:第一电阻一端接地,第一电阻另一端接差分放大器的负输入端,第三电阻一端接差分放大器的正输出端,第三电阻另一端接差分放大器的负输入端;第二电阻一端接输入电压(Vin),第二电阻另一端接差分放大器的正输入端;第四电阻一端接差分放大器的正输入端,第四电阻另一端接差分放大器负输出端;第一NMOS管栅极接差分放大器负输出端,第一NMOS管漏极接电源,第一NMOS管源极接第三MOS管的漏极;第二NMOS管栅极接差分放大器正输出端,第二NMOS管漏极接电源,第二NMOS管源极接第四NMOS管漏极;第三NMOS管源极接地;第四NMOS管源极接地,第四NMOS管栅极和第三NMOS管栅极相连,第四NMOS管栅极和第三NMOS管栅极一起与固定偏置电压源(Vbn)相连;第一开关一端接到第一电压源(VH),第一开关另一端分别与第一电容上极板、第二开关一端相连;第一电容下级板接地;第二开关另一端接第三NMOS管漏极;第五NMOS管栅极接第一CMOS开关一端,第五NMOS管源极接地;第一CMOS开关另一端分别与第五NMOS管漏极、第一电容的上极板连接;第四开关一端接第二电压源(VL),第四开关另一端分别与第二电容上极板、第三开关一端相连;第二电容下级板接地;第三开关另一端接第四NMOS管漏极;第一PMOS管栅极接第二CMOS开关一端,第一PMOS管源极接电源;第二CMOS开关另一端分别与第一PMOS管漏极、第二电容的上极板连接。
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