[发明专利]提高高压器件浅沟槽隔离性能的方法

摘要

本发明一般涉及半导体集成电路制造工艺，更确切的说，涉及一种提高高压器件浅沟槽隔离性能的方法，本发明通过采用两次光刻工艺与蚀刻工艺，在半导体器件的高压器件区和低压逻辑区形成两个深度不同的浅沟槽隔离区，且高压器件区的浅沟槽隔离区深度大于低压逻辑区的浅沟槽隔离区深度，进而减缓了高压器件区漏电高的问题，提高了高压器件的耐压能力和HV器件浅沟槽隔离性能，进而提高了产品的整体性能。

主权项

一种提高高压结构浅沟槽隔离性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一具有硅衬底的半导体结构，所述半导体结构包括高压器件区及低压逻辑区，所述衬底的上表面自下而上顺序依次生长有一衬垫氧化层和一氮化硅层；步骤S2、采用光刻、刻蚀工艺，于所述半导体结构的高压器件区内制备第一沟槽，并形成氮化硅保留层；步骤S3、制备第二抗反射层充满所述第一沟槽且覆盖所述氮化硅保留层的上表面；步骤S4、回蚀所述第二抗反射层至所述氮化硅保留层的上表面，形成位于所述第一沟槽内的第二抗反射保留层，并继续光刻、刻蚀工艺，于所述低压逻辑区内制备第二沟槽；其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。