[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310166873.5 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103378063B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 高柳浩二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件。根据本发明的半导体器件包括通孔，形成为穿透半导体衬底；第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分在芯片内端面上，该芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔。所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：通孔，形成为穿透半导体衬底；第一缓冲器电路和第二缓冲器电路；布线形成层，形成在所述半导体衬底的上层中；连接布线部分，假设从所述半导体衬底到所述布线形成层的方向为向上方向，则所述连接布线部分形成在所述通孔的上部，所述连接布线部分形成在所述通孔的芯片内端面上，所述芯片内端面为所述通孔的面对所述半导体衬底的上部部分的端面；第一路径，连接所述第一缓冲器电路和所述通孔；以及第二路径，连接所述第二缓冲器电路和所述通孔，其中所述第一路径和所述第二路径经由所述连接布线部分电连接，以及其中所述第一缓冲器电路和所述第二缓冲器电路中的一个使得电流通过所述连接布线部分而流到另一缓冲器电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310166873.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：调温器寿命模拟试验机
- 下一篇：弹簧床垫内部弹簧圈的承载测试机
