[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器单元

摘要

一种静态随机存取存储(SRAM)单元包括与第一方向平行的第一长边界和第二长边界，以及与第二方向平行的第一短边界和第二短边界，其中，第二方向与第一方向垂直。第一长边界和第二长边界比第一短边界和第二短边界长并且与第一短边界和第二短边界形成矩形。传送VSS电源电压的CVss线穿越第一长边界和第二边界。CVss线与第二方向平行。位线和位线条位于CVss线的相对侧上。位线和位线条被配置成用于传送互补位线信号。本发明还提供了包括FinFET的SRAM单元。

主权项

一种静态随机存取存储(SRAM)单元，包括：第一长边界和第二长边界，与第一方向平行；第一短边界和第二短边界，与第二方向平行，所述第二方向与所述第一方向垂直，其中，所述第一长边界和所述第二长边界比所述第一短边界和所述第二短边界长并且与所述第一短边界和所述第二短边界形成矩形；CVss线，穿越所述第一长边界和所述第二长边界传送VSS电源电压，所述CVss线与所述第二方向平行；以及位线和位线条，位于所述CVss线的相对侧，所述位线和所述位线条被配置成传送互补位线信号；与所述第一方向平行的字线；与所述第一方向平行并位于所述字线的相对侧的第一CVdd线和第二CVdd线，所述第一CVdd线和所述第二CVdd线被配置成传送正电源电压。