[发明专利]GaN外延或GaN衬底的制作方法在审
| 申请号： | 201310167780.4 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104143497A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;彭仕敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延或GaN衬底的制作方法，包括步骤：1）在第一硅衬底背面生长氧化硅；2）把带有氧化硅的第一硅衬底的背面和第二硅衬底的背面键合在一起，形成第三硅衬底；3）在第三硅衬底的上下两面生长氮化硅或氮氧化硅；4）双面刻蚀第三硅衬底上的氮化硅或氮氧化硅，形成所需图形；5）在第三硅衬底的双面，进行GaN选择性外延生长；6）剥离第一硅衬底和第二硅衬底，形成两片GaN外延片或GaN衬底。本发明可有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及晶格缺陷，同时降低生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | gan 外延 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN外延或GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）在第一硅衬底背面生长氧化硅；2）把带有氧化硅的第一硅衬底的背面和第二硅衬底的背面键合在一起，形成第三硅衬底；3）在第三硅衬底的上下两面生长氮化硅或氮氧化硅；4）双面刻蚀第三硅衬底上的氮化硅或氮氧化硅，形成所需图形；5）在第三硅衬底的双面，进行GaN选择性外延生长；6）剥离第一硅衬底和第二硅衬底，形成两片GaN外延片或GaN衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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