[发明专利]防篡改集成电路有效
申请号: | 201310175059.X | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN103426778A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 森克·奥斯特敦;迈克尔·齐恩曼 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/58 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的一个方面,构想了一种包括物理不可克隆功能的集成电路,在所述集成电路的钝化层中至少部分地实现所述物理不可克隆功能。根据本发明的另一方面,构想了一种用于制造集成电路的相应方法。根据本发明的另一方面,构想了一种包括所述类型集成电路的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 篡改 集成电路 | ||
【主权项】:
一种用于制造集成电路(100)的方法,所述方法包括在所述集成电路(100)的钝化层(102)中至少部分地实现物理不可克隆功能PUF,其特征在于:(a)提供基本结构,所述基本结构包括用于外部连接的焊盘(106)、内部连接(108)和PUF检测器连接(110);(b)用光致抗蚀剂层(200)覆盖除了PUF检测器连接(110)之外的基本结构;(c)将导电粒子随机地分布在整个所得到的表面上;(d)去除所述光致抗蚀剂层(200),使得仅有实质上在所述PUF检测器连接(110)上的粒子保留在所述表面上;(e)将所述钝化层(102)沉积在除了用于所述外部连接的焊盘(106)之外的所有元件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造