[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板无效
| 申请号： | 201310175197.8 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103311310A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张文余;田宗民;李婧 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可减小薄膜晶体管的沟道长度；该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其中，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。用于显示器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极、以及漏极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述源极和所述漏极分别设置在所述有源层两侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层接触。
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