[发明专利]一种起爆序列用V型结构MEMS执行器有效
申请号: | 201310176131.0 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103288041A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 赵玉龙;胡腾江;李波;白颖伟 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种起爆序列用V型结构MEMS执行器,包括单晶硅衬底,将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合,金属电极层沉积在单晶硅结构层上,MEMS执行器在单晶硅结构层中制作,MEMS执行器包括锚点,成阵列结构的V型梁热电驱动单元的两端与锚点连接,中间臂位于V型梁热电驱动单元的中间并相互固定,柔性梁的两端分别与中间臂和杠杆的首端相连接,隔板制作在杠杆的末端,将加速膛孔挡住,本发明利用了硅材料的热电效应与热膨胀效应,具有低成本、高智能、易集成的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 起爆 序列 结构 mems 执行 | ||
【主权项】:
一种起爆序列用V型结构MEMS执行器,包括单晶硅衬底(1),其特征在于:单晶硅衬底(1)上制作有直径为150~180um的加速膛孔(5),二氧化硅绝缘层(2)在单晶硅衬底(1)上生长,生长厚度为2~3um,将单晶硅结构层(3)与生长了二氧化硅绝缘层(2)的单晶硅衬底(1)键合,单晶硅结构层(3)的厚度为50~100um,金属电极层(4)沉积在单晶硅结构层(3)的锚点(3‑2)上;MEMS执行器在单晶硅结构层(3)中制作,MEMS执行器包括锚点(3‑2),成阵列结构的V型梁热电驱动单元(3‑3)的两端与锚点(3‑2)连接,中间臂(3‑4)位于V型梁热电驱动单元(3‑3)的中间并相互固定,柔性梁(3‑5)的两端分别与中间臂(3‑4)和杠杆(3‑1)的首端相连接,隔板(3‑6)制作在杠杆(3‑1)的末端,隔板(3‑6)将加速膛孔(5)挡住;所述的MEMS执行器是除去与锚点(3‑2)键合的部分,其余的二氧化硅绝缘层(2)将被腐蚀掉,使杠杆(3‑1)、V型梁热电执行器(3‑3)、中间臂(3‑4)、柔性梁(3‑5)以及隔板(3‑6)悬空,形成最终的可动结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310176131.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:应用于介电式液态透镜的液体组合
- 下一篇:一种盖板一体式微波隔离器的腔体结构