[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310177850.4 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103915398B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;皮昇浩;田锡旼 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 许伟群,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括衬底，所述衬底中限定了单元区和接触区；焊盘结构，所述焊盘结构包括在衬底的接触区中彼此交替地形成的多个第一导电层和多个第一绝缘层，其中，所述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，所述第一导电层的在所述焊盘结构的端部暴露的部分被定义为多个焊盘部分，并且所述多个焊盘部分具有比所述多个第一导电层的未暴露的部分大的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底中限定了单元区和接触区；焊盘结构，所述焊盘结构包括彼此交替地形成在所述衬底的所述接触区中的多个第一导电层和多个第一绝缘层；其中，所述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，所述第一导电层的在所述焊盘结构的端部暴露出的部分被定义为多个焊盘部分，并且所述多个焊盘部分具有比所述多个第一导电层的未暴露的部分大的厚度。
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