[发明专利]三维集成电路（3DIC）堆叠的载体翘曲控制有效
| 申请号： | 201310177995.4 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103632987B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;林士庭;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成封装堆叠(PoP)器件的实施例方法包括：在载体上临时安装衬底；在衬底上堆叠第一管芯，管芯和衬底中至少一个具有与载体失配的热膨胀系数；以及在第一管芯上堆叠第二管芯。衬底可以由有机衬底、陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、和层压衬底中的一个形成。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 dic 堆叠 载体 控制 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装堆叠(PoP)器件的方法，包括：在载体上临时安装衬底，其中，压力退火使所述衬底偏向所述载体以确保所述衬底牢固地安装在所述载体上；在所述衬底上堆叠第一管芯，所述第一管芯或者所述第一管芯和所述衬底具有与所述载体失配的热膨胀系数，使第二管芯相对于所述第一管芯产生水平偏移，以向所述第二管芯提供垂悬部分，所述第一管芯包括硅通孔TSV；以及在所述第一管芯上堆叠所述第二管芯，所述第一管芯的硅通孔TSV与所述第二管芯的铝焊盘电连接，其中，所述第一管芯大于所述第二管芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310177995.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
