[发明专利]一种IV型埃替拉韦晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201310178458.1 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104151241B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李金亮;赵楠;胡文军 | 申请（专利权）人： | 上海迪赛诺化学制药有限公司 |
| 主分类号： | C07D215/56 | 分类号： | C07D215/56 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 201302 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IV型埃替拉韦晶体及其制备方法。所述的IV型埃替拉韦晶体的X‑射线粉末衍射谱图在如下2θ9.98°、11.68°、17.05°、18.98°、23.12°、23.57°下具有特征衍射峰，测试误差为±0.2°。所述晶体的制备包括如下步骤在20～60℃，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中；在10～20℃搅拌使析晶或滴加反溶剂后在0～10℃搅拌使析晶；过滤，干燥。本发明提供的IV型埃替拉韦晶体相对于现有晶型具有更优异的溶解性和优良的稳定性，更有利于制剂的制备；另外，本发明的制备方法简单、生产周期短、成本低、易于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iv 型埃替拉韦 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体的X‑射线粉末衍射谱图在如下2θ：9.98°、11.68°、17.05°、18.98°、23.12°、23.57°下具有特征衍射峰，测试误差为±0.2°。
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