[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201310178656.8 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103227150A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 周政伟;胡晋玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种显示面板及其制作方法。本发明的显示面板包括连接电极。连接电极系与薄膜晶体管的栅极由同一道光罩形成,且薄膜晶体管的漏极系经由连接电极与画素电极电性连接。因此,连接电极不需利用额外制程加以制作,且连接电极可避免画素电极于蚀刻介电层时受到损伤。显示面板的薄膜晶体管的源极掺杂区与漏极掺杂区、储存电容下电极以及画素电极可利用同一道灰阶光罩加以形成。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作显示面板的方法,包括:提供一基板,该基板具有一画素区以及一第一薄膜晶体管区;于该基板上形成一图案化半导体层,该图案化半导体层包括一第一第一半导体图案,设置于该第一薄膜晶体管区内;于该基板上形成一绝缘层,其中该绝缘层覆盖该图案化半导体层;于该绝缘层上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括一画素电极,设置于该画素区内;于该绝缘层上形成一第二图案化导电层,该第二图案化导电层包括:一第一栅极,设置于该第一薄膜晶体管区内,其中在一垂直投影方向上该第一栅极部分重叠该第一半导体图案;以及一转接电极,设置于该画素区内,其中一部分的该转接电极与该画素电极接触并在该垂直投影方向上部分重叠该画素电极,而另一部分的该转接电极位于该绝缘层的表面且在该垂直投影方向上未与该画素电极重叠;于在该垂直投影方向上与该第一栅极未重叠的该第一半导体图案中形成一第一掺杂区与一第二掺杂区,其中该第一掺杂区与该第二掺杂区具有一第一掺杂类型;形成一介电层覆盖该绝缘层、该画素电极与该第二图案化导电层,并于该介电层与该绝缘层中形成一第一开口暴露出该第一掺杂区以及一第二开口暴露出该第二掺杂区,以及于该介电层中形成一第三开口暴露出该转接电极;以及于该介电层上形成一第三图案化导电层,该第三图案化导电层包括:一第一源极,填入该第一开口并与该第一掺杂区电性连接;以及一第一漏极,填入该第二开口并与该第二掺杂区电性连接以及填入该第三开口与该转接电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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