[发明专利]运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统有效
申请号: | 201310179090.0 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN103424982B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | S·巴雷 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,张臻贤 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种运用多个程序的光学邻近校正方法和用于该方法的系统。标记层放置于设计布局的如下区域中,在这些区域中,图像斜率小于临界图像斜率或者周长与面积之比小于临界周长与面积。可以通过对其中误差均值和/或误差均方根(RMS)超过阈值的过程条件子集分组来生成多光学邻近校正(OPC)。用运用至少一个非标准抗蚀剂模型的严格OPC处理用标记层标记的区域,而用不及至少一个非标准抗蚀剂模型严格的标准OPC程序处理布局的未标记区域。此外,可以在布局剪辑之中比较边数和区域图像对比度以确定用于边数和区域图像对比度的阈值,这些阈值可以用来确定针对每个布局剪辑是否需要多OPC。 | ||
搜索关键词: | 运用 程序 光学 邻近 校正 方法 用于 系统 | ||
【主权项】:
一种对设计布局执行光学邻近校正的方法,所述方法包括:从所述设计布局生成至少一个设计剪辑,其中所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑包括所述设计布局的子集;向所述至少一个设计剪辑中的每个设计剪辑分配至少一个测量部位;针对在所述至少一个设计剪辑之中的每个选择的设计剪辑,确定所述选择的设计剪辑是否满足用于将所述选择的设计剪辑分类为包括至少一个复杂设计特征的预定标准,其中所述预定标准包括以下标准中的一个标准或者逻辑组合:所述选择的设计剪辑是否具有比预定义的临界周长与面积之比更大的周长与面积之比;以及所述选择的设计剪辑是否包括如下测量部位,在该测量部位处的区域图像斜率小于预定义的临界区域图像斜率;针对被标识为满足所述预定标准的每个选择的设计剪辑,用标记层标记满足所述预定标准的区域;以及用OPC程序对未用所述标记层标记的区域执行OPC,并且用与所述OPC程序不同的至少另一OPC程序对用所述标记层标记的区域执行OPC。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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