[发明专利]利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法

摘要

本发明提供了利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法能够通过如下提供形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉非金属的第一间隔部分。下目标层能够利用该掩模图案被蚀刻。

主权项

一种形成半导体器件的方法，该方法包括：形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉该非金属的第一间隔部分，其中形成所述掩模图案包括：在所述下目标层上形成第一硬掩模层，形成所述第一硬掩模层包括形成有机掩模层和在所述有机掩模层上形成无机掩模层；在所述第一硬掩模层上形成非金属的缓冲图案，所述非金属的缓冲图案在所述第二方向上延伸；在所述第一硬掩模层上以及在所述非金属的缓冲图案上形成在所述第一方向上延伸的硬掩模图案；利用所述硬掩模图案蚀刻所述第一硬掩模层以去除所述无机掩模层的被所述硬掩模图案暴露的部分，从而暴露所述有机掩模层，并留下在所述非金属的缓冲图案下面和在所述硬掩模图案下面的无机掩模图案；以及从所述非金属的缓冲图案以及从所述无机掩模图案去除所述硬掩模图案；以及利用所述掩模图案蚀刻所述下目标层。