[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201310184941.0 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426856A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张恕铭;黄郁庭;刘沧宇;何彦仕 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/544;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底包括一下半导体层、一上半导体层、及该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且该下半导体层的一部分电性接触该第一基底上的至少一接垫；一导电层，设置于该第二基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该至少一接垫电性接触的该部分；一开口，自该上半导体层朝该下半导体层延伸并延伸进入该下半导体层；以及一保护层，设置于该上半导体层及该导电层之上，其中该保护层延伸至该开口的部分侧壁上，且不覆盖该开口中的该下半导体层。
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