[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310186281.X | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515358A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赤星知幸 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的多个金属端子；以及形成在半导体衬底的与电路形成表面的相反侧的表面上的并且覆盖金属端子的侧表面的至少一部分的树脂，其中金属端子的上表面从树脂中露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底的在与电路形成表面相反一侧上的表面上的多个金属端子；以及形成在所述半导体衬底的在与所述电路形成表面相反一侧上的所述表面上并且覆盖所述金属端子的侧表面的至少一部分的树脂，其中所述金属端子的上表面从所述树脂中露出。
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