[发明专利]半导体器件

摘要

本发明实施方式的半导体器件具备第1导电型半导体基板（1）、第一第1导电型半导体层（2）、第二第1导电型半导体层（3）、相互相邻的第2导电型底部层（5）、肖特基金属（6）以及阴极电极（7）。第二第1导电型半导体层设置于第一第1导电型半导体层上，具有比第一第1导电型半导体层高的第1导电型杂质浓度。相互相邻的第2导电型底部层设置于从第2半导体层的上表面朝向外延层延伸的多个沟槽的底部。肖特基金属设置于第二第1导电型半导体层上以及多个沟槽内。肖特基金属在与第二第1导电型半导体层的结部形成肖特基势垒。阴极电极设置于半导体基板上且与半导体基板欧姆连接。

主权项

一种半导体器件，具备：第1导电型半导体基板；第一第1导电型半导体层，设置于所述半导体基板上，具有比所述半导体基板低的第1导电型杂质浓度；第二第1导电型半导体层，设置于所述第一第1导电型半导体层上，具有比所述第一第1导电型半导体层高的第1导电型杂质浓度；相互相邻的第2导电型底部层，设置于从所述第二第1导电型半导体层的上表面朝向所述第一第1导电型半导体层延伸的多个沟槽的底部，与所述第一第1导电型半导体层以及所述第二第1导电型半导体层邻接；肖特基金属，设置于所述第二第1导电型半导体层上以及所述沟槽内，与所述第2导电型底部层电连接，在与所述第二第1导电型半导体层的结部形成肖特基势垒；以及阴极电极，设置于所述半导体基板上并与所述半导体基板欧姆连接。