[发明专利]一种壳核结构纳米硅复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310194584.6 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103311511A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 刘国钧;杨小旭;沈晓东;唐云俊 申请(专利权)人: 刘国钧
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;B82Y40/00;C01B33/021
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 刘宪池
地址: 436000 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种具有壳核结构的纳米硅复合材料的制备方法,直接采用高纯度半导体(9N级晶硅)或太阳能级(6N级晶硅)铸锭的硅棒,通过电弧放电、高温等离子体气化、活化处理、溶液接枝途径强化半导体硅掺杂元素磷或硼的含量,成品转化率和纯度较高,制得的硅纳米复合材料由于硅纳米球具有核壳结构,不容易发生团聚和氧化,容易保存,制备方法简单易行,适合规模化生产。
搜索关键词: 一种 结构 纳米 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种壳核结构纳米硅复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤1)由多晶或单晶硅锭制备微米级硅粉;2)将微米级硅粉经高温等离子气化形成纳米级硅粉;3)通入活性气体对纳米级硅粉表面进行活化处理;4)使用溶剂喷雾法将纳米硅粒硅收集于一种悬浊液中;5)在纳米硅悬浊液里通入反应化合物在纳米硅粉表面进行化学接枝;6)分离和收集接枝反应完成后得到的核壳结构硅纳米复合材料。
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