[发明专利]一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310195118.X | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280463A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张希清;周东站;王海龙;李彬;高耸;彭云飞;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 李鸿华 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMgzLixNyO靶包括ZnO、MgO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括衬底、绝缘层、沟道层、保护钝化层和电极构成的底或顶栅极结构；其特征在于：所述的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMgzLixNyO靶包括ZnO、MgO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1，厚度为20～60nm。
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