[发明专利]光学临近效应修正方法无效
| 申请号： | 201310195603.7 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103309148A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 何大权;魏芳;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种光学临近效应修正方法，包括：提供版图，所述版图具有互连通孔区域；采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域。采用本发明的负型光学临近效应修正模型进行光学临近效应修正时，修正后所述金属线的比正常光学临近效应修正模型的金属线要大一点，但是实际应用的是正常光学临近效应修正模型，所以，负型光学临近效应修正模型的修正使得修正后的所述金属线更大，而有利于所述金属线跟通孔连接更好，能够改善通孔裸露的情况，有效减少或避免器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学临近效应修正方法，包括：提供版图，所述版图具有互连通孔区域；采用负型光学临近效应修正模型修正所述版图的互连通孔区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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