[发明专利]一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
| 申请号： | 201310197236.4 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103305912A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 林鸿良;陈俊 | 申请（专利权）人： | 合肥晶桥光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230041 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了Cr、Tm、Ho掺杂钒酸镧CrxTmyHozLa1-x-y-zVO4发光材料（0.0001≤y≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1）。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；CrxTmyHozLa1-x-y-zVO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cr tm ho 掺杂 lavo sub 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 CrxTmyHozLa1‑x‑y‑zVO4，所述的x、y、z的取值范围为：0.0001≤x≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 CrxTmyHozSc1‑x‑y‑zVO4，所述的x、y、z的取值范围为：0.0001≤x≤0.1，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 TmyHozLa1‑y‑zVO4，所述y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；一种Tm掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 TmzSc1‑zVO4 ，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；一种Ho掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 HozLa1‑zVO4，所述的z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；一种Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 HozSc1‑zVO4，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1；一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于：该发光材料分子式可表示为 TmyHozSc1‑y‑zVO4 ，所述的 y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1；一种Tm掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述发光材料分子式可表示为 TmzLa1‑zVO4，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1。
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