[发明专利]射频器件的形成方法

摘要

一种射频器件的形成方法，包括提供包括背衬底、覆盖所述背衬底的隐埋氧化物层、以及覆盖所述隐埋氧化物层的顶层半导体层的绝缘体上半导体层，所述顶层半导体层表面形成有晶体管和覆盖所述晶体管的层间介质层；提供表面平整的临时支撑层，将层间介质层表面与所述临时支撑层接合；去除所述背衬底，直至暴露出隐埋氧化物层；提供高阻率的衬底，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合；将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合后，移除所述临时支撑层，暴露出所述层间介质层表面。形成的所述射频器件的信号损耗少，线性度高。

主权项

一种射频器件的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上半导体层，所述绝缘体上半导体层包括背衬底、隐埋氧化物层、以及顶层半导体层，所述隐埋氧化物层覆盖所述背衬底，所述顶层半导体层覆盖所述隐埋氧化物层，其中，所述背衬底的材料为高电阻率硅；所述顶层半导体层表面形成有晶体管和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述晶体管；提供表面平整的临时支撑层，将上述在具有隐埋氧化物层的所述绝缘体上半导体层的基础上形成有晶体管和层间介质层的结构进行翻转，使背衬底的表面朝上，而层间介质层的表面朝下，采用粘结剂将临时支撑层和上述翻转后的结构粘结在一起；去除所述背衬底，直至暴露出隐埋氧化物层；提供高阻率的衬底，将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合，其中，所述高电阻率的衬底的材料为绝缘的玻璃片或者其他易于切割的平整绝缘材料；将所述高阻率的衬底与所述隐埋氧化物层接合后，移除所述临时支撑层，暴露出所述层间介质层表面。