[发明专利]闩锁周全以硅控整流器为基础的设备有效
| 申请号： | 201310208424.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456722B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭露是一种闩锁周全以硅控整流器为基础的设备。实施例包含提供在硅控整流器的基底中的第一N+区域和第一P+区域；提供在该基底中接近该第一N+和P+区域的第一和第二n井区域；提供在该第一n井区域中的第二N+区域，以及在该第二n井区域中的第二P+区域；以及耦合该第一N+和P+区域至接地轨、该第二N+区域至电源轨、以及该第二P+区域至输入/输出垫。 | ||
| 搜索关键词： | 周全 整流器 基础 设备 | ||
【主权项】：
一种用于制作基于硅控整流器设备的方法，其包括：提供在硅控整流器的基底中的第一N+区域和第一P+区域；提供在用于该硅控整流器的该基底中接近该第一N+和P+区域的第一和第二n井区域，其中，该第一N+和P+区域位于该第一n井区域的第一侧，该第二n井区域位于该第一n井区域的第二侧，该第一侧和第二侧为该第一n井区域的相对两侧；提供在该第一n井区域中的第二N+区域，以及在该第二n井区域中的第二P+区域；以及耦合该第一N+和P+区域至接地轨、该第二N+区域至电源轨、以及该第二P+区域至输入/输出垫。
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