[发明专利]一种铜电极太阳能电池片及其制造方法有效
申请号: | 201310209332.6 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103325856A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 叶志龙;刘宗义;李丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市圣龙特电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 刘海军;杨建新 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种铜电极太阳能电池片及其制造方法,其沉积了保护膜解决了铜对扩散层的侵蚀问题,通入保护性气氛严格控制氧含量解决了铜在烧结过程中的氧化问题,采用铜正电极和铜背电极取代银电极,降低了生产成本,提高了光电转化率。本发明中采用的铜电极的导电性仅次于银,且价格是银的一百分之一,也能够与硅基体形成良好的欧姆接触,铜浆是替代银浆用来制作太阳能电池正极的理想材料。利用本发明制备出的硅晶太阳能电池片,成本降低百分之二十,光电转化率较采用银做正电极的太阳能电池片提到三到四个百分点,而且工艺简单、稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种铜电极太阳能电池片,其特征是:所述的太阳能电池片包括有完成制结处理的硅片、氮化硅减反射膜、保护膜、铝背面电场电极、铜背电极和铜正电极,氮化硅减反射膜覆盖在硅片正面,保护膜覆盖在氮化硅减反射膜上,硅片背面印有铝背面电场电极及铜背电极,在硅片正面保护膜上面印有铜正电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的