[发明专利]硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法无效
| 申请号： | 201310209382.4 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103258728A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;安海娇;郝帅 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片刻蚀的方法，包括：提供硅片，该硅片包括硅片基体、掺杂层及玻璃层，掺杂层背离硅片基体一侧的表面为绒面；在位于硅片基体正面的玻璃层背离硅片基体一侧的表面形成水保护层；将硅片具有水保护层的一面朝上置于化学试剂中进行刻蚀，去除硅片基体除正面外的区域上的掺杂层及玻璃层。上述方法利用玻璃层的亲水性，刻蚀之前在玻璃层背离硅片基体一侧的表面形成一层吸附在玻璃层表面水保护层。水保护层中的水会稀释流动到玻璃层上的化学试剂，使化学试剂基本不会腐蚀硅片基体正面PN结，降低了对正面PN结的损伤程度，提高了电池的转换效率；且降低了刻蚀形成的刻蚀印的明显程度，改善了太阳能电池片的外观。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅片刻蚀的方法，其特征在于，包括：提供硅片，所述硅片包括硅片基体、覆盖在所述硅片基体表面的掺杂层、及覆盖在所述掺杂层背离所述硅片基体一侧表面上的玻璃层，所述掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面为绒面；在位于所述硅片基体正面的玻璃层背离所述硅片基体一侧的表面形成水保护层；将所述硅片具有所述水保护层的一面朝上置于化学试剂中进行刻蚀，去除所述硅片基体除正面外的区域上的掺杂层及玻璃层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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