[发明专利]一种低压保护电路在审

专利信息
申请号: 201310211112.7 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN104218521A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 周明杰;管伟芳 申请(专利权)人: 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 代理人: 刘抗美;周惠来
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明的一种低压保护电路,包括:一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管;P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、低压取样电阻的一端以及高压取样电阻的一端;P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端;P沟道增强型MOS管的栅极耦接NPN型三极管的集电极以及高压取样电阻的另一端;低压取样电阻的另一端耦接稳压二极管的负极和滤波电容的一端;滤波电容的另一端接地;稳压二极管的正极耦接二极管的正极;二极管的负极耦接NPN型三极管的基极以及第三电阻的一端;第三电阻的另一端接地,NPN型三极管的发射极接地,本发明能在过低压时自动切断电源,保护产品及人身的安全。
搜索关键词: 一种 低压 保护 电路
【主权项】:
一种低压保护电路,其特征在于,包括:一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管;所述P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、所述低压取样电阻的一端以及所述高压取样电阻的一端;所述P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端;所述P沟道增强型MOS管的栅极耦接所述NPN型三极管的集电极以及所述高压取样电阻的另一端;所述低压取样电阻的另一端耦接所述稳压二极管的负极和所述滤波电容的一端;所述滤波电容的另一端接地;所述稳压二极管的正极耦接所述二极管的正极;所述二极管的负极耦接所述NPN型三极管的基极以及所述第三电阻的一端;所述第三电阻的另一端接地,所述NPN型三极管的发射极接地。
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