[发明专利]单元节距可控的植球装置及植球方法有效
申请号: | 201310211762.1 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103295919A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 刘江涛 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张云珠;戴嵩玮 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种单元节距可控的植球装置以及一种植球方法,该植球装置包括:主体,包括连接部分、多个第一凸块、多个第二凸块、多个插入孔;吸附杆,具有连接杆和从连接杆向下突出的多个吸附管;多个加热部件;检测部件,设置在位于第二凸块中的第二通孔中;以及控制部件,与检测部件和加热部件连接并设置为控制植球操作,其中,所述多个加热部件对主体和吸附杆进行加热以使连接部分和连接杆均匀变形,以调节植球装置的单元节距,控制部件根据检测部件检测到的数据控制加热部件的加热,以对所述植球装置的单元节距进行调节。该植球装置的单元节距可控,以方便地利用该植球装置封装单元节距值不同的封装件。 | ||
搜索关键词: | 单元 可控 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种植球装置,所述植球装置包括:主体(10),包括连接部分(11)、多个第一凸块(12)、与多个第一凸块(12)交叉地布置的多个第二凸块(13)、以及位于彼此相邻的第二凸块(13)之间和位于相邻的第一凸块(12)和第二凸块(13)之间的多个插入孔(14),第一凸块(12)与第二凸块(13)从连接部分(11)向下突出,插入孔(14)形成在连接部分(11)中,第一凸块(12)内部具有均匀分布的多个第一通孔(121),第二凸块(13)内部具有第二通孔(131);吸附杆(20),设置在主体(10)上方并且具有连接杆(21)和从连接杆(21)向下突出的多个吸附管(22),连接杆(21)和吸附管(22)在内部相互连通,多个吸附管(22)分别插入到多个插入孔(14)中,以在抽真空时吸附焊球或在卸掉真空时进行植球;多个加热部件(30),设置在位于所述多个第一凸块(12)中的多个第一通孔(121)中;检测部件(40),设置在位于第二凸块(13)中的第二通孔(131)中,用于检测主体(10)的温度数据或者检测主体(10)的单元节距数据和目标植球区域的单元节距数据;以及控制部件(50),与检测部件和加热部件连接并设置为与检测部件一起控制植球操作,控制部件(50)根据检测部件(40)检测到的数据控制植球装置的操作,其中,所述多个加热部件(30)对主体(10)和吸附杆(20)进行加热以使连接部分(11)和连接杆(21)均匀变形,以调节植球装置的单元节距,控制部件(50)根据检测部件(40)检测到的数据控制加热部件(30)的加热,以对所述植球装置的单元节距进行调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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