[发明专利]自对准环绕结构有效
| 申请号： | 201310217498.2 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104143505B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;郭大鹏;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了垂直环绕结构及其制造方法的实施例。制造自对准的垂直环绕结构器件的方法实施例包括环绕半导体柱从结构层伸出的暴露部分形成间隔件；在结构层的被保护部分和间隔件的第一部分上方形成光刻胶；蚀刻掉结构层设置在由间隔件和光刻胶共同限定的边界的外部的未被保护部分以形成具有底脚部分和非底脚部分的结构，底脚部分和非底脚部分共同环绕半导体柱；以及去除光刻胶和间隔件。本发明还提供了自对准环绕结构。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 环绕 结构 | ||
【主权项】：
一种制造自对准的垂直围栅器件的方法，包括：环绕半导体柱从栅极层伸出的暴露部分形成间隔件；在所述栅极层的被保护部分和所述间隔件的第一部分上方形成光刻胶；蚀刻掉所述栅极层设置在由所述间隔件和所述光刻胶共同限定的边界的外部的未被保护部分以形成具有底脚部分和非底脚部分的栅极，所述非底脚部分和所述底脚部分共同环绕所述半导体柱；以及去除所述光刻胶和所述间隔件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
