[发明专利]改善原子力纳米探针导电性的方法无效
| 申请号： | 201310217818.4 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103336150A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李剑;陈强;唐涌耀;黄维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/40 | 分类号： | G01Q60/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改善原子力纳米探针导电性的方法，包括在导电物质上接触有至少一根或多根被氧化的原子力纳米探针；依次将每根被氧化的原子力纳米探针和导电物质间施加电压差，将被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；重复前一步，直至改善原子力纳米探针的导电性。本发明还提出一种改善原子力纳米探针导电性的方法，包括在导电物质上接触有至少两根被氧化的原子力纳米探针；依次将一根被氧化的原子力纳米探针和剩余的每根被氧化的原子力纳米探针间施加电压差，将被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；重复前一步，直至改善原子力纳米探针的导电性，用以保证进行失效分析时样品测试的准确性，以及延长原子力纳米探针的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 原子 纳米 探针 导电性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善原子力纳米探针导电性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在一导电物质上接触有至少一根或多根被氧化的原子力纳米探针；步骤2：依次将每根所述被氧化的原子力纳米探针和导电物质间施加电压差，将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿；步骤3：重复步骤2，直至将施加有电压差的所述被氧化的原子力纳米探针的预定面积的氧化物击穿。
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