[发明专利]干扰减轻的字线驱动电路、快闪存储器和擦除方法有效
| 申请号： | 201310217882.2 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104217749B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王林凯;苏如伟;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干扰减轻的字线驱动电路、快闪存储器和擦除方法。所述字线驱动电路包括P型MOS晶体管、第一N型MOS晶体管及第二N型MOS晶体管，其中，当对所述快闪存储器进行擦除时，所述P型MOS晶体管的源极浮空，并且，在进行擦除时，非擦除存储单元对应的第二N型MOS晶体管关断，以切断所述非擦除存储单元的字线与字线驱动电路的负电压源之间的漏电。采用本发明所公开的字线驱动电路、快闪存储器及擦除方法，可以使对同一区块内的擦除存储单元进行擦除的电压对非擦除存储单元的干扰减轻，提高了对快闪存储器进行数据擦除的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 干扰 减轻 驱动 电路 闪存 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器的字线驱动电路，所述字线驱动电路包括P型MOS晶体管和第一N型MOS晶体管，所述P型MOS晶体管的栅极与所述第一N型MOS晶体管的栅极连接，并连接所述字线驱动电路的输入信号端，所述P型MOS晶体管的漏极与所述第一N型MOS晶体管的漏极连接，并连接所述字线驱动电路驱动的字线，其特征在于，所述字线驱动电路还包括第二N型MOS晶体管，所述第二N型MOS晶体管的漏极与所述第一N型MOS晶体管的源极连接，所述第二N型MOS晶体管的源极与负电压源连接，并且所述第二N型MOS晶体管的栅极与选通信号输入端连接，如果所述字线驱动电路驱动的字线是非擦除存储单元对应的字线，则所述P型MOS晶体管的源极浮空，所述第二N型MOS晶体管关断。
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