[发明专利]半导体检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201310222182.2 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218026B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体检测结构及检测方法，所述半导体检测结构包括两条串联电路，每一个串联电路包括一个待检测电阻和一个参考电阻，所述待检测电阻的正上方具有与引线键合的金属焊盘，所述参考电阻的正上方不具有与引线键合的金属焊盘，且所述待检测电阻和参考电阻的原始阻值都相等，所述两条串联电路之间并联连接，其中一条串联电路通过待检测电阻的一端与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考电阻的一端与电流输入端相连接。通过获得待检测电阻和参考电阻的电阻差表征金属焊盘进行引线键合产生的应力作用对待检测电阻的影响程度，可以排除温度的影响，检测结果精确。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测结构，其特征在于，包括：位于同一半导体衬底上的两个待检测电阻和两个参考电阻，所述待检测电阻的正上方具有同一个与引线键合的金属焊盘，所述参考电阻的正上方不具有与引线键合的金属焊盘，且所述待检测电阻和参考电阻的原始阻值都相等；电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，每一个串联电路包括一个待检测电阻和一个参考电阻，所述两条串联电路之间并联连接，其中一条串联电路通过待检测电阻的一端与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考电阻的一端与电流输入端相连接；所述待检测电阻和参考电阻为扩散电阻；所述扩散电阻的具体结构包括：位于半导体衬底内的阱区，位于所述阱区内的离子注入区，所述阱区和离子注入区的掺杂离子类型相反，所述离子注入区作为扩散电阻。
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