[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

主权项

一种基板处理装置，其用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液来将去除对象层去除，上述基底层为氧化膜或者氮化膜，其特征在于，该基板处理装置包括：基板处理室，其用于处理上述基板；基板保持部件，其设于上述基板处理室内，用于保持上述基板；混合液供给部件，其用于以不会对上述基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由上述基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；以及OH基供给部件，其用于向上述基板供给含有OH基的流体，上述OH基供给部件供给含有在上述混合液与OH基在上述基板上混合时不会对上述基底层造成损伤的量的OH基的流体，其中，不会对上述基底层造成损伤的混合液温度是100℃～180℃，不会对上述基底层造成损伤的混合液混合比是硫酸：过氧化氢水＝10：1～25：1。