[发明专利]设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区

摘要

本文公开了设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区以及具有场效应晶体管的集成电路器件，该场效应晶体管包括具有第一层和第二层的源极区和漏极区。在沟道区的平面下方形成第一层。第一层包括掺杂硅和碳，其晶格结构小于硅的晶格结构。第二层形成在第一层上方并高出沟道区的平面。第二层由含有掺杂外延生长硅的材料形成。第二层的碳原子分数小于第一层的碳原子分数的一半。第一层在沟道区的表面下方形成至少10nm的深度。这种结构促进了形成浅结的源极/漏极延伸区的形成。这种器件提供了具有低阻抗的源极和漏极同时相对更能够抵抗短沟道效应。

主权项

一种形成集成电路器件的方法，包括：提供半导体主体；在所述半导体主体上形成栅极或伪栅极的堆叠件；图案化所述堆叠件以从源极区和漏极区中去除所述栅极的所述堆叠件，同时保留主体区上方将为所述栅极提供沟道区的图案化的堆叠件；在所述栅极的侧壁周围形成间隔件；在所述源极区和所述漏极区中的半导体主体中蚀刻沟槽；通过旋回沉积和蚀刻在所述沟槽中形成第一层，所述第一层包括硅、碳和磷；通过外延生长在所述第一层上方形成第二层，所述第二层包括硅和磷，所述第一层和所述第二层为晶体管提供源极区和漏极区；以及进行热退火以使磷至少从所述第二层扩散穿过由所述间隔件和所述第一层形成的障碍物并且形成源极/漏极延伸区，其中，所述第一层覆盖所述沟槽的侧壁，所述源极/漏极延伸区沿着所述第一层的底面和外侧壁设置，扩散的磷决定所述源极区和所述漏极区与所述沟道区之间p‑n结的位置。