[发明专利]集成有减振器的单一多晶硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201310231793.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103515442A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 潘继;伍时谦;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOSFET器件包含由半导体漂流区和本体区构成的一个或若干个有源器件结构和一个或若干个虚拟结构。虚拟结构与有源器件结构并联。每个虚拟结构都含有一个电绝缘减振器电极，其形成在本体区和漂流区附近，一个绝缘物部分，其形成在减振器电极上方和本体区的顶面上方，以及一个或若干个在减振器电极和部分本体区和源极电极之间的电接头。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 减振器 单一 多晶 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种MOSFET器件，其特征在于，该器件包含：一个第一导电类型的半导体的衬底；一个第一导电类型的半导体的漂流区，其形成在所述衬底上方，所述漂流区的掺杂浓度低于衬底；一个第二导电类型的本体区，其形成在所述漂流区顶部，所述第二导电类型与第一导电类型相反；一个或若干个由漂流区和本体区构成的有源MOSFET器件结构，其中每个有源MOSFET器件结构都含有一个电绝缘栅极电极；一个或若干个形成在临近栅极电极的本体区顶部的第一导电类型的源极区；一个形成在栅极电极上方和本体区的顶面上方的绝缘物部分；一个形成在绝缘物部分上方的导电源极电极层；一个或若干个电接头，其将源极电极层与一个或若干个源极区相连；以及，一个或若干个由漂流区和本体区构成的虚拟器件结构，其并联到有源MOSFET器件结构上，其中一个或若干个虚拟器件结构中的每一个器件结构都包含有一个电绝缘减振器电极，其形成在本体区和漂流区附近；一个绝缘物部分，其形成在减振器电极上方和本体区的顶面上方；以及，一个或若干个电接头，其将减振器电极和本体区的邻近部分连接到源极电极层。
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