[发明专利]一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法

摘要

本发明属于定向凝固领域，特别涉及一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，在硅料熔化后，通过单独调节上部加热装置、中部加热装置和下部加热装置的温度，进行硅体长晶和退火冷却，最后取锭即可。本发明可以最大限度的利用炉体空间，节约设备投资成本。同时，通过控制下部加热装置和中部加热装置的温度和水冷的方式来实现所述坩埚底部温度的降低，使得冷却速度更快，因此降低了铸锭单位质量的能耗。

主权项

一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，先抽真空，然后向炉体内通入氩气，再将硅料加热熔化，其特征在于按照以下步骤继续进行：（1）硅体长晶：逐步降低中部加热装置和下部加热装置的温度，并同时提高可旋转升降水冷平台机构（18）中水的流速，使坩埚（19）底部温度逐渐降低，当坩埚（19）底部温度低于1414℃时，坩埚（19）底部开始结晶并形成多晶硅，当定向凝固至45‑55%时，然后再降低上部加热装置的温度，使多晶硅继续往上生长；（2）退火冷却：当多晶硅完全生长成时，调整上部加热装置、中部加热装置和下部加热装置温度，对多晶硅锭进行退火后保温，最后关闭加热装置的电源，让硅锭自动降温；（3）出锭结束：当多晶硅形成的多晶硅锭的温度降低到300℃以下时，打开上炉盖（1），启动可旋转升降水冷平台机构(18),将坩埚升至其底面高出炉体上法兰表面，取出多晶硅铸锭，操作结束。