[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法有效
| 申请号： | 201310253860.1 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253091A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 安生健二 | 申请（专利权）人： | 业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司，未经业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310253860.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
