[发明专利]栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201310258301.X | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311113A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐莹;周飞;周维;魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种栅极的形成方法，在对多晶硅层进行预注入之后，先形成较薄且较为致密的第一掩膜层，再形成较为疏松的第二掩膜层，接着再进行刻蚀，由于预注入之后，残留在多晶硅层表面的离子会渗透出第一掩膜层与第二掩膜层，避免离子在多晶硅层和第一掩膜层的交界处形成团聚空洞，使后续刻蚀正常进行，从而避免对半导体衬底造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行预注入；在所述多晶硅层表面依次形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第一掩膜层比第二掩膜层致密；依次刻蚀所述第二掩膜层、第一掩膜层、多晶硅层以及栅介质层形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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