[发明专利]一种功率半导体芯片栅电阻有效
| 申请号： | 201310259231.X | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311283A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体芯片栅电阻，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。由于该栅电阻由至少两个分电阻并联，当其中一个分电阻发生损坏，其他分电阻仍能够正常工作，在主栅极区和栅极圈之间传递信号。因此，该栅电阻避免了现有技术中的由于单个电阻串联带来的由于电阻损坏，芯片就面临损坏的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 电阻 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片栅电阻，其特征在于，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310259231.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体硅太阳电池生产工艺
- 下一篇：半导体功率模块封装结构及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
