[发明专利]无受闩锁影响的ESD保护有效
| 申请号： | 201310263009.7 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103515379A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;M·I·纳塔拉延 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种无受闩锁影响的ESD保护。静电放电模块包括：静电放电电路及闩锁控制电路；该静电放电电路，具有接垫端及低电位电源端；该闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁端以及耦接于ESD电路的闩锁输出端；第一操作模式与第二操作模式；其中，在该第一操作模式中，闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流It1，并且在该第二操作模式中，闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流It2。 | ||
| 搜索关键词： | 无受闩锁 影响 esd 保护 | ||
【主权项】：
一种静电放电模块，其包含：静电放电电路，具有接垫端和低电位电源端；闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁输入端和耦接于该静电放电电路的闩锁输出端；以及第一操作模式与第二操作模式，用于该静电放电模块；其中，在该第一操作模式中，该闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流It1，而在该第二操作模式中，该闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流It2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，未经新加坡商格罗方德半导体私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310263009.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
