[发明专利]一种用于三维集成的临时键合方法有效
| 申请号： | 201310263752.2 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103441083A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡坚;魏体伟;王谦 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于三维集成的临时键合方法，由于在利用BCB的现有键合方法中，在键合之后不易将BCB去除，所以根据本发明该方法能够克服该缺陷，该方法包括：在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化；在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶；将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合；对所述晶圆进行背面减薄和抛光，直至露出所述硅通孔；完成所述晶圆的背面制备工艺，并去除所述晶圆正面上的所述支撑片、临时键合胶以及所述干刻蚀型苯丙环丁烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 集成 临时 方法 | ||
【主权项】：
一种用于三维集成的临时键合方法，该方法包括：在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化；在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶；将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合；对所述晶圆进行背面减薄和抛光，直至露出所述硅通孔；完成所述晶圆的背面制备工艺，并去除所述晶圆正面上的所述支撑片、临时键合胶以及所述干刻蚀型苯丙环丁烯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310263752.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种芯片倒装BGA封装方法
- 下一篇：一种形成侧墙的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
