[发明专利]快速定位单个通孔位置的方法有效
申请号: | 201310264897.4 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103336407A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 夏国帅;何大权;魏芳;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及微电子光学临近修正领域,具体涉及一种快速定位单个通孔位置的方法,具体包括以下步骤:首选采用网格法滤除部分不符合规定的通孔,然后移动网格再次将不符合条件的通孔进行进一步滤除,然后放大剩余的通孔,并进行进一步判断,得到符合规定的单个通孔,最后将单个通孔做光学临近修正处理,放大单个通孔的关键尺寸,避免在金属光刻工艺中造成瞎窗现象的产生。采用本发明提供的技术方案大大缩短了传统技术中检测单个通孔所耗费的时间,极大提高了生产效率,进而降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 快速 定位 单个 位置 方法 | ||
【主权项】:
一种快速定位单个通孔位置的方法,应用于金属通孔的光刻工艺流程中,其特征在于,所述方法包括: 提供一具有多个通孔图案的版图; 采用网格法滤除部分不符合要求的通孔图案; 将剩余的通孔图案进行放大,以筛选出单个通孔; 对所述单个通孔进行光学临近修正处理。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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