[发明专利]高击穿电压LDMOS器件有效
| 申请号： | 201310265326.2 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531630B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨宏宁;D·J·布隆伯格;左将凯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个多区域(81、83)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件（40）有一个绝缘体上半导体(SOI)支撑结构(21)，在其上形成了一个大体上对称、横向内部的第一LDMOS区域(81)以及一个大体上非对称、横向接近边缘的第二LDMOS区域(83)。一个深槽隔离(DTI)壁(60)大体上横向终止所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)。由与所述DTI壁（60）相关联的所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)展示的电场增强以及下层源极‑漏极击穿电压(BVDSS)通过在接近所述DTI壁（60）的所述SOI支撑结构(21)中提供一个掺杂SC埋层区域(86)被避免，位于所述横向接近边缘LDMOS区域(83)的一部分下面并且与所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)的一个漏区(31)有相反导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多栅横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，包括：绝缘体上半导体SOI支撑结构，其上或其上方被放置有至少一个对称的内部LDMOS区域以及至少一个非对称接近边缘LDMOS区域；深槽隔离壁，延伸到所述支撑结构中并且终止所述至少一个接近边缘LDMOS区域；第一导电类型的漏区，接近所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的上表面；以及掺杂半导体埋层区域，接近所述深槽隔离壁，位于所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的一部分下面，并且具有与所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的所述漏区相反的导电类型。
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