[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201310269161.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103354218A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 成军;陈海晶;姜春生 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置,属于液晶显示技术领域,其可解决现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂,制作成本较高的问题。本发明的阵列基板的制作方法包括:在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形,并形成栅极绝缘层;在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形;形成透明导电层薄膜,通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形;通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。本发明的阵列基板包括薄膜晶体管区和显示区,还包括透明导电层,透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极,在显示区构成像素电极。本发明的显示装置,包括上述阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括:栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、像素电极和有源区,其特征在于,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形,并形成栅极绝缘层;在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形;形成透明导电层薄膜,通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形;通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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