[发明专利]一种纳米相变ESD器件、纳米相变ESD结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310275444.1 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282680B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米相变ESD器件、纳米相变ESD结构及其制备方法，所述纳米相变ESD结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的掺杂扩散区；位于所述掺杂扩散区上的纳米相变层；以及位于所述纳米相变层上的金属导电层。本发明中所述ESD器件中N型纳米相变ESD结构以及P型纳米相变ESD结构与所述焊盘（PAD）以及被保护电路连接后，当所述焊盘（PAD）上有大的ESD电荷，有电荷脉冲触发（ESD zap）时，ESD触发造成在相邻Cu离子（分散在SixOyNz层中Cu离子）之间的局部电子隧道效应，使所述P+/NPS‑ESD或N+/NPS‑ESD闭合，形成闭合电路，将所述ESD电流通过该闭合回路导出，以避免对被保护电路造成损坏，起到保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 相变 esd 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米相变ESD结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的掺杂扩散区；位于所述掺杂扩散区上的纳米相变层；以及位于所述纳米相变层上的金属导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
