[发明专利]用于块体FinFET技术的漏极延伸MOS器件有效
| 申请号： | 201310276227.4 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531633A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | M.什里瓦斯塔瓦;H.戈斯纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔移动通信有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;王忠忠 |
| 地址： | 德国诺*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于块体FinFET技术的漏极延伸MOS器件。一些方面涉及一种包括被布置在半导体衬底之上且在源极区和漏极区之间侧向延伸的半导体鳍的FinFET。浅沟槽隔离（STI）区侧向包围半导体鳍的下部，并且半导体鳍的上部保留在STI区之上。栅极电极横越在半导体鳍之上以在导电栅极电极之下的半导体鳍中定义沟道区。穿通阻断区能够在半导体鳍的下部中在源极区和沟道区之间延伸。漏极延伸区能够在半导体鳍的下部中在漏极区和沟道区之间延伸。还公开了其他器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 块体 finfet 技术 延伸 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种被布置在半导体衬底上的半导体器件，包括：浅沟槽隔离（STI）区，被布置在半导体衬底之上；半导体鳍，被布置在STI区内，所述半导体鳍在源极区和漏极区之间延伸并且包括由STI区的表面所定义的第一部分和第二部分；栅极电极，横越在半导体鳍之上以在栅极电极之下在半导体鳍中定义沟道区；第一穿通阻断区，被布置在源极区之下且在半导体鳍的第二部分中在沟道区之下延伸；以及漏极延伸区，被布置在半导体鳍的第二部分中在栅极电极和漏极区之间。
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