[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310277268.5 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104051422A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡纾婷;林政贤;庄俊杰;杨敦年;刘人诚;洪丰基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底和形成在所述第一衬底上方的多个第一互连部件；第二半导体芯片，接合在所述第一半导体芯片上，其中，所述第二半导体芯片包括第二衬底和形成在所述第二衬底上方的多个第二互连部件；第一导电插塞，连接至所述第一互连部件，所述第一导电插塞包括：第一部分，形成在所述第一互连部件与所述第一衬底的正面之间，所述第一部分具有第一宽度；和第二部分，形成在所述第一衬底的正面与所述第一衬底的背面之间，所述第二部分具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度；以及第二导电插塞，连接至所述第二互连部件，所述第二导电插塞包括：第三部分，形成在所述第二互连部件与所述第一衬底的正面之间，所述第三部分具有第三宽度；和第四部分，形成在所述第一衬底的正面和所述第一衬底的背面之间，所述第四部分具有大于或等于所述第三宽度的第四宽度。
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