[发明专利]硅通孔的形成方法有效
| 申请号： | 201310277620.5 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282619B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;张海芳;陈晓军;陈政;李新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅通孔的形成方法，包括提供硅衬底；采用深反应性离子蚀刻在所述硅衬底中形成通孔；在所述通孔的侧壁形成热氧化层；去除所述热氧化层；在所述通孔的侧壁和底部形成绝缘层；在所述绝缘层上形成导电材料以填充满所述通孔。本发明所提供的硅通孔的形成方法中，在通孔形成之后，对通孔侧壁进行了热氧化层的生长和去除处理，消除了通孔侧壁的扇贝状凸起，得到表面平坦光滑的通孔，因此后续绝缘材料能够很好地沉积在通孔表面形成厚度均匀的绝缘层，而硅通孔中的导电材料能够较好地填充在通孔中，并使得导电材料与硅衬底之间保持良好的电绝缘，使最终形成的硅通孔具有高击穿电压、无泄漏和无裂化的绝缘性能，提高硅通孔芯片的有效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；采用深反应性离子蚀刻在所述硅衬底中形成通孔；在所述通孔的侧壁形成热氧化层；去除所述热氧化层；在所述通孔的侧壁和底部形成绝缘层；在所述绝缘层上形成导电材料以填充满所述通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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