[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备有效
申请号: | 201310280645.0 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103545329B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 池田晴美;舘下八州志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备。该固态成像装置包括半导体基板、每一个均包括形成在半导体基板中的光电转换部的像素、形成在半导体基板中且分隔相邻像素的沟槽以及形成在每个像素的光电转换部之上且埋设在沟槽的至少一部分中的彩色滤光片。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:半导体基板;像素,每一个该像素包括形成在该半导体基板中的光电转换部;沟槽,形成在该半导体基板中,并且该沟槽分隔相邻的像素;以及彩色滤光片,形成在每一个该像素的该光电转换部之上且埋设在该沟槽的至少一部分中,其中当相邻像素的颜色灵敏度具有实质差别时,与相邻像素中的低颜色灵敏度的像素具有相同颜色的彩色滤光片埋设在像素之间的该沟槽中。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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