[发明专利]一种同轴垂直互连导电体的制作方法

摘要

本发明涉及一种同轴垂直互连导电体的制作方法，属于微电子集成技术领域。本发明基于圆形深孔和环形深槽的金属填充方法，一次性地实现内垂直导电体和外垂直导电体的制造，实现了同轴的垂直互连。只需要往垂直深孔和深槽结构内淀积一次绝缘层、一次粘附层以及一次金属导电层。与现有的圆形深孔方法相比，大大简化了制造流程，有效节省了制造成本；与现有的环形深槽方法相比，能有效地制造结构独立优化的内垂直导电体以及外垂直导电体。本发明所提出的同轴垂直互连制造方法，是三维集成高频/射频芯片的有效方法，在微电子集成技术领域具有广泛的应用价值。

主权项

一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：具体步骤如下：P01：在衬底上采用等离子体刻蚀或化学湿法刻蚀方法，形成同轴、垂直衬底上表面且不穿透衬底的圆柱形深孔和圆环柱形深槽结构；所述的圆柱位于圆环柱内，两者上表面具有相同的圆心位置，圆柱直径小于环形的内直径；P02：垂直侧壁和衬底上表面依次均匀淀积绝缘层、粘附层和导电层材料；所述垂直侧壁包括圆柱形深孔的侧壁，以及环形深槽的内、外侧壁；所述绝缘层、粘附层和导电层填充满深孔和深槽结构，分别形成同轴的内、外垂直导电体；P03：依次去除衬底上表面的导电层和粘附层；P04：在衬底上表面制造与垂直导电体相连接的金属互连；P05：从衬底下表面减薄衬底，直到圆形深孔或环形深槽内填充的金属导电层外露；P06：在衬底下表面制造金属互连与垂直导电体相连；至此，本发明的同轴垂直互连导电体制作完毕。